“激光化学气相沉积高取向碳化硅与工程应用”项目

科技成果鉴定结果公示

委托人：武汉理工大学、武汉拓材科技有限公司、湖北晶星科技股份有限公司

评审鉴定时间：2023年6月10日

地点：安徽省芜湖市

一、项目的关键技术和主要创新点如下：

1.发明了大功率超高斯分布连续激光化学气相沉积高速制备碳化硅涂层技术及装备，攻克了传统CVD技术中材料生长表面临界层厚度薄、微观粒子迁移率低导致无法快速成膜等技术难题，膜层生长速率较传统CVD工艺提升2-3个数量级，最高可达3600微米/小时，实现了毫米级厚膜制备。

2.发明了碳化硅晶体缺陷控制技术，运用各类晶体缺陷物理属性与几何形态诱导缺陷发育、湮灭，并将其封存于材料底部，解决了碳化硅膜层微观缺陷密度大等难题，材料反向畴界和双向畴界缺陷密度下降2个数量级。

3.发明了碳化硅微观结构精细控制技术，攻克了CVD碳化硅材料晶粒取向、表面形貌难以控制等难题，获得了微纳尺度下结构与表面形貌精准可控、高取向度的膜层，实现金属液与容器膜层表面润湿性可控。

二、项目已获授权发明专利9项、参与制定国家标准1项。产品已在多家半导体材料企业应用，解决了碲、铟、铝等半导体材料高纯化技术瓶颈，对推进半导体领域高纯原材料自主可控、提高国际竞争力具有重大意义。

项目成果整体达到国际先进水平。其中，碳化硅膜层生长速率、微观结构精细控制技术达到国际领先水平。

对该项目的鉴定如有异议，请于公示之日起14日内向中国建筑材料联合会科技发展部

反映（电话：010-57811082）。

中国建筑材料联合会科技发展部

2023年6月10日

鉴 定 委 员 会 名 单